GaN基HEMTs因其在高壓、大功率、高溫等領域的應用前景而備受關注。由于GaN的寬禁帶和高擊穿場強，Gan基器件可以提供更快的開關速
2023年7月26-28日，2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇將于西安召開。中國電子科技集團公司第十三研究所重點實驗室副主
隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以第三代半導體為代表的化合物半導體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等
2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇將于7月26-28日在西安召開。
近日，中國科大微電子學院兩篇論文入選第35屆功率半導體器件和集成電路國際會議（IEEE ISPSD，全稱：IEEE International Symposi
半導體產業網訊：第35屆功率半導體器件和集成電路國際會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，I
高新科技領域是國家綜合實力的體現，中國半導體市場正在獲得前所未有的重視和發展機遇，而作為我國最大的功率半導體器件制造商之
單片三維集成是集成電路在后摩爾時代的重要發展方向，存儲與邏輯的單片集成可以大幅提升系統的帶寬與能效，是解決當前集成電路領
2022上半年，第三代半導體器件種類逐漸豐富，供應鏈緊缺得到緩解，供不應求的情況好轉，產品價格繼續回落，價差進一步縮小；消費
近日，中國科大微電子學院龍世兵教授課題組兩篇論文入選第34屆功率半導體器件和集成電路國際會議（ISPSD，全稱為：IEEE Internat
近日，南方科技大學深港微電子學院教授于洪宇課題組和助理教授李攜曦課題組在寬禁帶半導體功率器件領域取得系列進展，
4月22日，順義區舉行重點項目云簽約及新聞發布活動，共25個項目簽約落地。