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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，粵芯半導體技術(shù)股份有限公司申請一項名為一種光刻機對準方法的專利，公開號CN 118838133 A，申請日期為

團聚金剛石技術(shù)是中機新材在金剛石減薄砂輪領(lǐng)域的一大創(chuàng)新。通過這一技術(shù)，能夠有效地解決微粉磨料的軟團聚問題，提高混料的均勻性。

英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進展，這種晶圓直徑為300mm，厚度為20μm。厚度僅有頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進的40-60μm晶圓厚度的一半。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州高視半導體技術(shù)有限公司申請一項名為基于晶圓檢測系統(tǒng)的晶圓檢測方法及其相關(guān)產(chǎn)品的專利，公開號 C

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請一項名為光刻機焦距監(jiān)控方法、焦距監(jiān)控掩膜版及其形成方法的專

天眼查顯示，華海清科股份有限公司驅(qū)動機構(gòu)的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲介質(zhì)專利公布，申請公布日為2024年9月24日，申請

韓國埃珀特功率半導體晶圓研磨及封測項目、予秦半導體晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、盛美半導體設(shè)備研發(fā)與制造中心、新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目、銘方集成電路封裝測試及產(chǎn)業(yè)化項目、奧東微波毫米波電子產(chǎn)業(yè)基地項目迎來新進展。

韓國埃珀特功率半導體晶圓研磨及封測項目簽約儀式在臨港開發(fā)區(qū)舉行

泰國的半導體產(chǎn)業(yè)正在向更先進的工藝領(lǐng)域拓展，該國首座前端晶圓廠預計最早于 2027 年投入使用。

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PowerAmerica執(zhí)行董事兼首席技術(shù)官Victor Veliadis將出席論壇并做大會報告，分享“加速碳化硅芯片和功率電子的商業(yè)化進程”，并將在專題技術(shù)分會上，繼續(xù)分享“在硅晶圓廠中制造SiC”的研究成果。

是德科技（NYSE: KEYS ）近日推出全新的 4881HV 高壓晶圓測試系統(tǒng)，進一步擴展了其半導體測試產(chǎn)品組合。該解決方案能一站式的高

北京大學王新強教授團隊：推動高功率UVC-LED晶圓進入低成本4英寸時代！

當?shù)貢r間9月11日，英飛凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功開發(fā)出全球首款300毫米功率氮化鎵（GaN）晶圓技術(shù)，并率先在

8月8日上午，揚州晶圓級芯粒先進封裝基地項目封頂儀式隆重舉行。江蘇芯德半導體科技股份有限公司及揚州芯粒集成電路有限公司董事

東海炭素公司計劃投資54億日元（約合2.6億人民幣），在神奈川縣茅崎市建設(shè)一條專用的多晶SiC晶圓材料生產(chǎn)線，預計該生產(chǎn)線將于2024年12月完工并投入運營。

安芯電子車規(guī)級6英寸晶圓設(shè)計制造項目、淄博芯材集成電路封裝載板項目、晶能微電子車規(guī)級半導體封測基地一期項目、民翔半導體存儲項目、河南芯盛半導體封測項目、冠石半導體光掩模版項目迎來新進展

年產(chǎn)36萬片碳化硅晶圓的長飛先進武漢基地正式迎來主體結(jié)構(gòu)封頂?shù)年P(guān)鍵時刻！

2024年6月21至23日，“新一代半導體晶體技術(shù)及應用大會”將在山東濟南召開，創(chuàng)銳光譜科技有限公司董事長金盛燁受邀將出席會議，并帶來《瞬態(tài)光譜技術(shù)及其在SiC晶圓缺陷檢測中的應用》的主題報告。

投資約20億元，年產(chǎn)120萬片6英寸功率半導體特色工藝晶圓產(chǎn)線9月底試生產(chǎn)