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總投資120億元,士蘭集宏8英寸碳化硅項目封頂

發(fā)表于:2025-03-03 來源:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 編輯:

據(jù)海滄區(qū)融媒體中心消息,士蘭微電子旗下廈門士蘭集宏半導體有限公司的8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目正式全面封頂。

據(jù)悉,士蘭集宏項目總投資120億元,分兩期建設(shè),總建筑面積達23.45萬㎡。其中,一期投資70億元,預計2025年四季度初步通線,2026年一季度試生產(chǎn),達產(chǎn)后年產(chǎn)能42萬片8英寸SiC芯片。二期投產(chǎn)后總產(chǎn)能將提升至72萬片/年,成為全球規(guī)模領(lǐng)先的8英寸SiC功率器件產(chǎn)線,項目以SiC MOSFET為核心產(chǎn)品,主要服務于新能源汽車主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、智能電網(wǎng)等高需求領(lǐng)域。

士蘭微電子董事會秘書、副總裁陳越表示,總投資70億元的一期項目,將盡最大努力爭取在今年年底實現(xiàn)初步通線,明年一季度投產(chǎn),到2028年底最終形成,年產(chǎn)42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。較好地滿足國內(nèi)新能源汽車所需的碳化硅芯片需求,并有能力向功率逆變產(chǎn)品提供高性能的碳化硅芯片,同時促進國內(nèi)8英寸碳化硅襯底及相關(guān)工藝裝備的協(xié)同發(fā)展。

據(jù)介紹,士蘭集宏項目全面達產(chǎn)后,預計年產(chǎn)值超120億元,可滿足國內(nèi)40%以上的車規(guī)級SiC芯片需求,并帶動上下游產(chǎn)業(yè)鏈集聚廈門,加速第三代半導體材料、設(shè)備國產(chǎn)化進程。此外,士蘭微已實現(xiàn)第Ⅳ代SiC MOSFET芯片量產(chǎn),其主驅(qū)模塊已獲國內(nèi)知名車企批量采購,技術(shù)實力進一步鞏固。

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