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助力科技中國戰略!蓋澤參編的《埋層硅外延片》GB國家標準正式實施

發表于:2025-03-13 來源:半導體產業網 編輯:

?日前,國家市場監督管理總局、國家標準化管理委員會正式發布(GB/T 44334-2024)《 埋層硅外延片》?國家標準,并于2025年3月1日正式實施。蓋澤半導體參與了此次國家標準的起草工作,并與多家半導體產業龍頭企業攜手,共同完成了標準的制定。

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在國內半導體市場蓬勃發展的當下,硅外延片作為其中的重要組成部分,市場需求日益增長。然而,此前由于缺乏統一標準,行業亂象叢生,概念混淆、產品質量參差不齊等問題屢見不鮮,這嚴重阻礙了國內半導體行業的持續穩定發展。

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此次國家標準的發布,為埋層硅外延片的生產制造、測試分析和質量評價提供了統一的技術規范。這不僅有助于規范市場秩序,避免因標準不統一導致的質量參差不齊,還能有效提升國內埋層硅外延片的整體質量,增強產品的市場競爭力。在如今全球化的背景下,半導體行業的國際化競爭日益激烈。國家標準的發布,有助于我國半導體產品與國際標準接軌,減少國際貿易中的技術壁壘。這不僅有利于我國半導體產品更好地走向國際市場,還能吸引更多的國際合作伙伴,提升我國在全球半導體產業鏈中的地位。

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據了解,蓋澤半導體是一家專注于半導體晶圓前道量測技術研發的企業,致力于為國內外延片廠商提供成熟可靠的國產化解決方案。通過不懈的研發和技術革新,蓋澤半導體成功打破了國外技術壁壘,在碳化硅、硅晶圓外延層量測這一關鍵領域取得了諸多顯著成就,為國內相關產業提供了高精度、高可靠性的量測手段。

不僅如此,蓋澤半導體還憑借其在外延領域的深入研究和大量實踐,積累了豐富的科技成果和實踐數據。這些成果不僅為本次國家標準的起草提供了重要依據,還為行業確立了科學、嚴謹的衡量準則,填補了國內在該領域量測技術的多項空白。

如今,蓋澤半導體已覆蓋FTIR膜厚量測、元素濃度計量等技術,可應用于硅、碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等多種材料晶圓的量檢需求,并已向多家央企、國企、上市晶圓公司等知名半導體企業交付,廣泛用于碳化硅、硅晶圓外延層的批量量測中。

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蓋澤半導體在外延層量測領域憑借深厚的技術積累和豐富的實踐經驗,參與了本次國家標準的制定,這不僅表明其技術水平得到了行業的高度認可,提升了其在行業內的影響力,還為其未來的發展奠定了堅實基礎。蓋澤的參與也有助于將自身的技術優勢和實踐經驗融入國家標準中,推動整個行業的標準化進程,促進技術交流與合作,加速行業技術的推廣和應用。同時,國家標準的發布和實施為國內企業走向國際市場提供了有力支持,蓋澤通過參與標準起草,能夠更好地把握國際市場的技術要求和發展趨勢,為其未來國際化發展提供技術保障,進一步提升其品牌形象和市場認可度。

GB/T 44334-2024《埋層硅外延片》國家標準的發布與實施,對于我國半導體行業發展具有里程碑意義。蓋澤半導體的深度參與,不僅彰顯了其在行業內的卓越技術實力和領先地位,更為我國半導體行業的高質量發展注入了強勁動力。展望未來,蓋澤半導體將繼續秉持“創新為魂”的理念,勇立行業潮頭,持續深化標準化建設,以更高標準、更先進技術助力國內半導體行業的騰飛,為我國在全球半導體領域的崛起貢獻更多力量。

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