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標準 | SiC MOSFET晶圓級老化及篩選試驗方法立項

發表于:2025-04-21 來源:半導體產業網 編輯:

?2025年4月15日,按照第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會(CASAS)相關管理辦法,經CASAS管理委員會投票通過由杭州飛仕得科技股份有限公司牽頭提出的《SiC MOSFET晶圓級老化及篩選試驗方法》團體標準立項建議,詳細信息如下:


秘書處將向CASAS正式成員發出征集起草單位的通知,組建標準起草小組,請CASAS正式成員關注秘書處郵件(casas@casa-china.cn)。

杭州飛仕得科技股份有限公司


杭州飛仕得科技股份有限公司(Firstack)圍繞IGBT、SiC MOSFET等功率半導體的應用,專業從事功率系統核心部件及功率半導體檢測設備研發和銷售。產品已批量應用于風力發電、光伏發電、礦用變頻、新能源汽車、儲能、輸配電、軌道交通等多個高可靠性領域。

Firstack高度重視技術創新、產品研發和人才培養,公司為國家專精特新“小巨人”企業,擁有博士后科研工作站以及經浙江省科技廳認定的省級企業研究院。公司堅持創新驅動發展的戰略,自主研制的多項產品被評為“浙江省科學技術成果”、“浙江省級工業新產品”,整體技術實力在業內受到廣泛認可。


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