GaN HEMT器件從1992年第一片AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)外延報道，發(fā)展至今天，在科研與產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域不斷取得突破。器件擊穿機理對系統(tǒng)應(yīng)用電壓、功率密度、長期可靠性等都有著重要影響。相比于Si、SiC器件，GaN HEMT器件在擊穿表征方法、雪崩擊穿機制、柵極漏電機制、雙向阻斷結(jié)構(gòu)、宇航輻照退化機理等方面存在顯著區(qū)別。為實現(xiàn)GaN HEMT器件的高性能應(yīng)用，多維度、全方位深入研究GaN HEMT器件的擊穿機理至關(guān)重要。

5月22-24日，?“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。?

會議設(shè)有開幕大會&主旨報告，以及硅及寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及集成應(yīng)用，超寬禁帶材料、器件及集成應(yīng)用，功率集成交叉與應(yīng)用，先進(jìn)封裝與異構(gòu)集成等4個平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。??

屆時，西安電子科技大學(xué)教授趙勝雷將受邀出席論壇，并帶來《GaN HEMT器件擊穿機理多維度分析與探討》的主題報告，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

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嘉賓簡介

趙勝雷，西安電子科技大學(xué)教授，博士生導(dǎo)師，國家萬人計劃青年拔尖人才，華山學(xué)者特聘教授。主要研究方向為氮化鎵功率器件與應(yīng)用，曾在華為2012實驗室、中國電科參與研發(fā)功率半導(dǎo)體器件，具有豐富的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)歷。近年來主持國家萬人計劃、國家自然科學(xué)基金、國家重點研發(fā)計劃課題等項目10余項。圍繞氮化鎵功率器件，發(fā)表IEEE TPE、EDL、TED等SCI期刊論文80余篇，被半導(dǎo)體領(lǐng)域國際專業(yè)媒體Compound Semiconductor專題報道，申請與授權(quán)國家發(fā)明專利80余項，獲得陜西省技術(shù)發(fā)明一等獎1項，中國電子學(xué)會技術(shù)發(fā)明一等獎1項，中國核學(xué)會科技進(jìn)步一等獎1項。?

西安電子科技大學(xué)-郝躍院士團(tuán)隊，牽頭建成寬禁帶半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)全國重點實驗室、國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺和寬禁帶領(lǐng)域高校唯一的國家工程研究中心，先后承擔(dān)國家科技重大專項、國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學(xué)基金重點項目等30余項，在氮化鎵領(lǐng)域的專利申請量位居全球第一，獲國家科技三大獎一等獎2項、二等獎6項，以及2025年度中國青年五四獎?wù)拢w）、何梁何利基金科學(xué)與技術(shù)獎、國防科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎一等獎。牽頭建設(shè)教育部集成電路領(lǐng)域“101計劃”和戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域“十四五”高等教育教材體系，獲評國家級教學(xué)成果一等獎1項、二等獎2項。團(tuán)隊系統(tǒng)突破氮化鎵射頻半導(dǎo)體芯片核心技術(shù)，助力實現(xiàn)5G通信、北斗衛(wèi)星、信息化裝備等領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化，支撐我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用的國際領(lǐng)先。

會議時間：5月22-24日

會議酒店：中國·南京·熹禾涵田酒店

組織機構(gòu)

指導(dǎo)單位：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位：南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦支持：電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司

大會主席：郭宇鋒

聯(lián)合主席：柏松 張波 趙璐冰

程序委員會：盛況 陳敬 張進(jìn)成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進(jìn) 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等

組織委員會

主 任：姚佳飛

副主任：涂長峰

成 員:張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等

主題方向

1. 硅基功率器件與集成技術(shù)

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計技術(shù)、器件測試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)

2.碳化硅功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3.氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

5.模組封裝與應(yīng)用技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性

6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術(shù)；制造、封裝、檢測及測試設(shè)備等

7.功率器件交叉領(lǐng)域

基于新材料（柔性材料、有機材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計、制造與集成技術(shù)；人工智能驅(qū)動的功率器件仿真，建模與設(shè)計、封裝與測試

會議日程總覽

最新報告嘉賓

備注：以下為目前部分報告嘉賓和議題，不分先后！

張進(jìn)成--西安電子科技大學(xué)副校長、教授

孫偉鋒--東南大學(xué)集成電路學(xué)院院長

唐為華--南京郵電大學(xué)教授、鎵和半導(dǎo)體董事長

用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術(shù)挑戰(zhàn)

喬明--電子科技大學(xué)教授

用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術(shù)挑戰(zhàn)

TBD--英諾賽科科技有限公司

TBD--揚杰科技

王慶宇--新微半導(dǎo)體總經(jīng)理?

氮化鎵賦能未來，突破功率極限，開啟能效革命

陳敦軍--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授

氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件

葉建東--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授

氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件

魏進(jìn)--北京大學(xué)集成電路學(xué)院研究員

Multidimensional Devices in GaN and Ga2O3: Superjunction, Multi-channel, and FinFET

張宇昊 鞏賀賀--香港大學(xué)教授、博士后研究員

宋慶文--西安電子科技大學(xué)教授

面向功率器件制造的先進(jìn)離子注入解決方案：集成工藝與創(chuàng)新

王鶴鳴--愛發(fā)科（蘇州）技術(shù)研究開發(fā)有限公司研究員

高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

黃森--中國科學(xué)院微電子研究所研究員

新能源時代半導(dǎo)體封測技術(shù)與趨勢

邢衛(wèi)兵--通富微電子股份有限公司/通富研究院Power技術(shù)中心負(fù)責(zé)人

功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望

朱正宇--熾芯微電子科技（蘇州）有限公司董事長&總經(jīng)理

面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)

李道會--北京昕感科技(集團(tuán))副總，功率模塊事業(yè)部負(fù)責(zé)人

氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

周 峰--南京大學(xué)副研究員

氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

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宣融--南京百識電子科技有限公司總經(jīng)理

寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)

程新紅--中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)研究所研究員

鄧小川--電子科技大學(xué)教授

劉盼--復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心副主任

施宜軍--工業(yè)和信息化部電子第五研究所高級工程師?

P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進(jìn)方法

彭燕--山東大學(xué)教授

High Breakdown Voltage Low Dynamic RON Non-etching E-mode GaN HEMTs with Oxidized In-situ p-GaN Layer as Passivation

張潔--西交利物浦大學(xué)芯片學(xué)院助理教授、本科專業(yè)負(fù)責(zé)人

1.5 kV Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFETs

劉超--山東大學(xué)集成電路學(xué)院/晶體材料全國重點實驗室教授

GaN Monolithic Integration for Power Conversion Applications

朱昱豪--青海大學(xué)能源與電氣工程學(xué)院講師

Enhancement-mode (001) β-Ga2O3 Vertical Multi-fin Power Transistors

郭高甫--中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

3 kV級超寬禁帶Diamond/ε-Ga2O3異質(zhì)p-n結(jié)二極管

章建國--中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所博士

......更多報告嘉賓持續(xù)確認(rèn)更新中

參會及擬邀單位

中電科五十五所、電子科技大學(xué)、英飛凌、華虹半導(dǎo)體、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導(dǎo)體所、三安半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、浙江大學(xué)、東南大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、南京大學(xué)、天津大學(xué)、長飛半導(dǎo)體、華為、溫州大學(xué)、明義微電子、海思半導(dǎo)體、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體、華大九天、博世、中鎵半導(dǎo)體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導(dǎo)體、西交利物浦大學(xué)、西安理工大學(xué)、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導(dǎo)體、中科院納米所、平湖實驗室、北京工業(yè)大學(xué)、南方科技大學(xué)、華南師范大學(xué)、立川、國電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學(xué)等……

活動參與：? ?

注冊費2800元，5月15日前注冊報名2500元（含會議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）

繳費方式

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動支付

備注：通過銀行匯款/移動支付，請務(wù)必備注：單位簡稱+姓名+南京，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

掃碼預(yù)報名

備注：此碼為預(yù)報名通道，完成信息提交后，需要對公匯款或者掃碼支付注冊費。

論文投稿及報告咨詢：

賈老師? 18310277858??jiaxl@casmita.com

姚老師? 15951945951??jfyao@njupt.edu.cn

張老師? 17798562651? mlzhang@njupt.edu.cn?

李老師? 18601994986??linan@casmita.com

贊助、展示及參會聯(lián)系：

賈先生? 18310277858? ?jiaxl@casmita.com

張女士? 13681329411? zhangww@casmita.com

投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx? ? 文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導(dǎo)體學(xué)報（英文）》。?

會議酒店

南京熹禾涵田酒店

協(xié)議價格：標(biāo)間&大床房，400元/晚，含早餐

地址：南京市浦口區(qū)象賢路158號

郵箱：503766958@qq.com

酒店聯(lián)系人

陸經(jīng)理 15050562332 ?025-58628888