?SiC功率器件加工環(huán)節(jié)設(shè)計單晶制作、外延生長、晶圓加工測試、模塊封裝測試等環(huán)節(jié)。目前各個環(huán)節(jié)國內(nèi)均已形成量產(chǎn)供貨。GaN射頻芯片廣泛應(yīng)用在通信、干擾、加熱，電子戰(zhàn)等領(lǐng)域。目前在通信行業(yè)主要發(fā)展方向為高頻高效率，在射頻能源應(yīng)用主要發(fā)展方向為高壓大功率，射頻電源應(yīng)用方向主要為低頻大功率。

5月22-24日，?“2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，南京郵電大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產(chǎn)教融合學院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。?

會議設(shè)有開幕大會&主旨報告，以及硅及寬禁帶半導體材料、器件及集成應(yīng)用，超寬禁帶材料、器件及集成應(yīng)用，功率集成交叉與應(yīng)用，先進封裝與異構(gòu)集成等4個平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。?

屆時，北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司總經(jīng)理助理王川寶將受邀出席論壇，并帶來《SiC基GaN射頻芯片與電力電子芯片技術(shù)》的大會報告，國聯(lián)萬眾主要在晶圓加工和模塊封裝測試進行布局，具備完善的6英寸SiC功率芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線，8英寸芯片研發(fā)線也將在2025年第四季度完成升級通線。公司設(shè)計生產(chǎn)的SiC MOSFET在比導通電阻、閾值電壓、短路耐量等參數(shù)方面居于國內(nèi)第一梯隊。報告將分享最新研究及應(yīng)用成果，敬請關(guān)注！

嘉賓簡介

王川寶，2012年獲得北京航空航天大學材料學學位，后就職于中國電子科技集團公司第十三研究所，射頻器件領(lǐng)域?qū)＜摇Ｄ壳熬吐毐本﹪?lián)萬眾半導體科技有限公司，任技術(shù)總監(jiān)。從事氮化鎵、碳化硅等化合物器件工藝開發(fā)和器件研發(fā)工作。負責5G基站用GaN功率管研發(fā)及推廣，期間解決多個影響GaN功率管長期可靠性的本質(zhì)問題，配合用戶實現(xiàn)GaN產(chǎn)品的研發(fā)和量產(chǎn)應(yīng)用，產(chǎn)品性能指標和可靠性處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。獲得國家級獎勵一項，省部級獎勵一項，授權(quán)專利四項。?

公司簡介

北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司，成立于2015年3月，位于北京市順義區(qū)，是中國電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院上市公司河北中瓷電子科技股份有限公司（003031）的全資子公司。公司主要從事化合物半導體（包括氮化鎵和碳化硅等）芯片、器件的設(shè)計、生產(chǎn)與銷售，同時布局相關(guān)器件和模塊的封測業(yè)務(wù)，提供科技孵化等服務(wù)。

?會議時間：5月22-24日

會議酒店：中國·南京·熹禾涵田酒店

組織機構(gòu)

指導單位：第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：南京郵電大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)

承辦單位：南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產(chǎn)教融合學院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

協(xié)辦支持：電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司

大會主席：郭宇鋒

聯(lián)合主席：柏松 張波 趙璐冰

程序委員會：盛況 陳敬 張進成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等

組織委員會

主 任：姚佳飛

副主任：涂長峰

成 員:張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等

主題方向

1. 硅基功率器件與集成技術(shù)

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計技術(shù)、器件測試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)

2.碳化硅功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3.氮化鎵、III/V族化合物半導體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導體功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

5.模組封裝與應(yīng)用技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進封裝技術(shù)與封裝可靠性

6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術(shù)；制造、封裝、檢測及測試設(shè)備等

7.功率器件交叉領(lǐng)域

基于新材料（柔性材料、有機材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導體器件設(shè)計、制造與集成技術(shù)；人工智能驅(qū)動的功率器件仿真，建模與設(shè)計、封裝與測試

會議日程總覽

最新報告嘉賓

備注：以下為目前部分報告嘉賓和議題，不分先后！

張進成--西安電子科技大學副校長、教授

孫偉鋒--東南大學集成電路學院院長

唐為華--南京郵電大學教授、鎵和半導體董事長

用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術(shù)挑戰(zhàn)

喬明--電子科技大學教授

用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術(shù)挑戰(zhàn)

TBD--英諾賽科科技有限公司

TBD--揚杰科技

王慶宇--新微半導體總經(jīng)理?

氮化鎵賦能未來，突破功率極限，開啟能效革命

陳敦軍--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授

氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件

葉建東--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授

氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件

魏進--北京大學集成電路學院研究員

Multidimensional Devices in GaN and Ga2O3: Superjunction, Multi-channel, and FinFET

張宇昊 鞏賀賀--香港大學教授、博士后研究員

宋慶文--西安電子科技大學教授

面向功率器件制造的先進離子注入解決方案：集成工藝與創(chuàng)新

王鶴鳴--愛發(fā)科（蘇州）技術(shù)研究開發(fā)有限公司研究員

高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

黃森--中國科學院微電子研究所研究員

新能源時代半導體封測技術(shù)與趨勢

邢衛(wèi)兵--通富微電子股份有限公司/通富研究院Power技術(shù)中心負責人

功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望

朱正宇--熾芯微電子科技（蘇州）有限公司董事長&總經(jīng)理

面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)

李道會--北京昕感科技(集團)副總，功率模塊事業(yè)部負責人

氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

周 峰--南京大學副研究員

氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究?

宣融--南京百識電子科技有限公司總經(jīng)理

程新紅--中國科學院上海微系統(tǒng)研究所研究員

寬禁帶半導體3D集成技術(shù)

鄧小川--電子科技大學教授

劉盼--復(fù)旦大學上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心副主任

施宜軍--工業(yè)和信息化部電子第五研究所高級工程師?

P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進方法

彭燕--山東大學教授

High Breakdown Voltage Low Dynamic RON Non-etching E-mode GaN HEMTs with Oxidized In-situ p-GaN Layer as Passivation

張潔--西交利物浦大學芯片學院助理教授、本科專業(yè)負責人

1.5 kV Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFETs

劉超--山東大學集成電路學院/晶體材料全國重點實驗室教授

GaN Monolithic Integration for Power Conversion Applications

朱昱豪--青海大學能源與電氣工程學院講師

Enhancement-mode (001) β-Ga2O3 Vertical Multi-fin Power Transistors

郭高甫--中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

3 kV級超寬禁帶Diamond/ε-Ga2O3異質(zhì)p-n結(jié)二極管

章建國--中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所博士

......更多報告嘉賓持續(xù)確認更新中

參會及擬邀單位

中電科五十五所、電子科技大學、英飛凌、華虹半導體、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導體所、三安半導體、芯聯(lián)集成、斯達半導體、中國科學技術(shù)大學、浙江大學、東南大學、復(fù)旦大學、西安電子科技大學、清華大學、北京大學、廈門大學、南京大學、天津大學、長飛半導體、華為、溫州大學、明義微電子、海思半導體、瞻芯電子、基本半導體、華大九天、博世、中鎵半導體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導體、西交利物浦大學、西安理工大學、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導體、中科院納米所、平湖實驗室、北京工業(yè)大學、南方科技大學、華南師范大學、立川、國電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學等……

活動參與：? ?

注冊費2800元，5月15日前注冊報名2500元（含會議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）

繳費方式

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

②移動支付

備注：通過銀行匯款/移動支付，請務(wù)必備注：單位簡稱+姓名+南京，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

掃碼預(yù)報名

備注：此碼為預(yù)報名通道，完成信息提交后，需要對公匯款或者掃碼支付注冊費。

論文投稿及報告咨詢：

賈老師? 18310277858??jiaxl@casmita.com

姚老師? 15951945951??jfyao@njupt.edu.cn

張老師? 17798562651? mlzhang@njupt.edu.cn?

李老師? 18601994986??linan@casmita.com

贊助、展示及參會聯(lián)系：

賈先生? 18310277858? ?jiaxl@casmita.com

張女士? 13681329411? zhangww@casmita.com

投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx? ? 文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導體學報（英文）》。?

會議酒店

南京熹禾涵田酒店

協(xié)議價格：標間&大床房，400元/晚，含早餐

地址：南京市浦口區(qū)象賢路158號

郵箱：503766958@qq.com

酒店聯(lián)系人

陸經(jīng)理 15050562332 ?025-58628888

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