涉及Mini/Micro LED 技術(shù)領(lǐng)域的6項(xiàng)專利中，“一種量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制造方法”的發(fā)明專利是公司繼成功開發(fā)出高一致性像素化量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換彩膜制備技術(shù)、及攜手華南理工大學(xué)成功研制行業(yè)最高發(fā)光效率的量子點(diǎn)LED器件2項(xiàng)技術(shù)突破后，在Mini/Micro LED領(lǐng)域量子點(diǎn)技術(shù)攻關(guān)中取得的又一科研成果。 

 

本次取得的6項(xiàng)專利的相關(guān)技術(shù)方案可以提高超高清顯示產(chǎn)品的集成度，優(yōu)化及 簡(jiǎn)化線路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，提升制程及封裝良率，形成成熟的封裝技術(shù)路線，確保顯示 效果的一致性，提升用戶的觀看體驗(yàn)。 

 

涉及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的3項(xiàng)發(fā)明專利，相關(guān)專利技術(shù)可提升產(chǎn)品散熱效率，延長(zhǎng)器件的使用壽命，更好地保障器件穩(wěn)定性，同時(shí)兼具良好的絕緣性能及抗壓能力，產(chǎn)品可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行多樣化設(shè)計(jì)，靈活性非常強(qiáng)。公司積極拓寬第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新賽道，致力于打造高可靠性、高品質(zhì)的功率器件封測(cè)業(yè)務(wù)，目前在上游芯片領(lǐng)域布局有硅基氮化鎵的外延芯片技術(shù)儲(chǔ)備，中游封裝領(lǐng)域已建成第 三代半導(dǎo)體功率器件實(shí)驗(yàn)室及試產(chǎn)線。

 

公告指出，本次獲取的專利體現(xiàn)了公司正持續(xù)推進(jìn)第三代半導(dǎo)體的研究開發(fā)和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化，為公司打造具備高可靠性、高品質(zhì)優(yōu)勢(shì)的“第三代半導(dǎo)體功率器件封測(cè)企業(yè)”奠定堅(jiān)實(shí)技術(shù)基礎(chǔ)。上述專利的取得彰顯了公司在相關(guān)領(lǐng)域核心技術(shù)方面取得重要進(jìn)展，相關(guān)專利的獲得雖不會(huì)對(duì)公司近期生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)產(chǎn)生重大影響，但對(duì)公司的工藝改進(jìn)、產(chǎn)品創(chuàng)新、市場(chǎng)及品牌影響力提升等方面有積極的影響，有助于增強(qiáng)公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力。