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國家第三代半導體技術創新中心正式邁入實際運行階段

發表于:2022-09-28 來源:半導體產業網 編輯:
   半導體產業網訊:9月23日,國家第三代半導體技術創新中心(以下簡稱國創中心)在京召開第一屆理事會第一次會議,標志著國創中心正式邁入實際運行階段。科技部有關領導,北京、山西、湖南、江蘇、深圳等地方政府負責同志,中國電子科技集團有限公司(以下簡稱中國電科)主要負責同志出席會議。
 
 
 
  會議審議了國創中心《理事會章程》《建設運行方案》《2022年工作重點及目標》《第三代半導體躍升工程行動計劃(建議稿)》,審議通過了第一屆理事長、副理事長、理事,專家委員會主任、成員,國創中心主任人選,并聽取了國創中心前期工作匯報。
 
  國創中心由科技部批復同意建設,旨在瞄準國家戰略需求,統籌全國優勢力量,聚焦第三代半導體關鍵核心技術和重大應用方向,推進各類相關創新主體和創新要素有效協同,輸出高質量科技創新成果,培育發展新動能,推動我國第三代半導體產業創新能力整體躍升。
 
 
 
  國創中心按照“一體統籌規劃、多地分布布局、協同聯動創新”和“存量帶動增量”的建設思路,在科技部的統一指導下,由中國電科與相關省市協商設立,布局深圳、南京、蘇州、湖南、山西、北京等六個區域中心,有效銜接政府支持和企業需求,聯合行業龍頭企業,協同全國50余家科研機構,初步形成了“核心+基地+網絡”的創新格局。目前,已聚集第三代半導體領域多個院士團隊,行業領軍人才50余名,形成500多人規模的專職團隊,聚焦產業鏈薄弱環節重點發力,取得了階段性進展和成效。
 
  會議以“現場+視頻”形式舉行。北京、山西、江蘇、湖南、深圳、南京、蘇州等地有關部門負責人,國創中心相關建設單位負責人參加會議。
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