?Micro-LED是未來顯示技術最重要的發展方向之一，MicroLED技術具有響應時間快、亮度高、色彩飽和度高等優勢，但是需要解決制造工藝上的問題和成本問題。MicroLED技術已經取得了一些進展，但其制造難度和成本依然很高，需要進一步降低生產成本并提高量產效率。同時，需要不斷探索新的IC設計和封裝技術，以實現更好的光電轉換效率。
2023年11月27-30日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。
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27日，“Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術分會”如期舉行，本屆分會得到了三安光電股份有限公司、納微朗科技（深圳）有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、廣東晶科電子股份有限公司、深圳市大族半導體裝備科技有限公司的協辦支持。
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會上，北京工業大學教授郭偉玲帶來了“MicroLED的尺寸效應與高色彩轉換效率”的主題報告，分享了Micro LED的尺寸效應、提高MicroLED的發光和顏色轉換效率、無源矩陣（PM）的設計和制造，有源矩陣（AM）的設計和制造等研究成果。
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報告指出，三種MicroLED尺寸效應上，對于小型微型LED，所有ITO P電極都顯著提高了光功率，盡管電性能有所下降；與照明尺寸相等的ITO面積是MicroLED的更好選擇；在大電流下，方形MicroLED的輻射通量比圓形的要好，因為它們的周長與面積比更高。
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利用納米材料和結構提高微型LED的發光和顏色轉換效率，LSP使納米孔陣列微型LED的PL增加1.6倍；具有石墨烯電極的納米柱陣列微型LED上的LSP使PL增加84%，EQE增加36%；
與平面型相比，納米孔陣列上的NRET將顏色轉換效率提高了118%。研究設計并制作了無源矩陣。測量并分析了不同位置像素的性質。設計制作了有源矩陣。
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（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考?。?/div>