7月25日，北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)（北京亦莊）碳化硅功率芯片IDM企業(yè)——北京芯合半導體有限公司（以下簡稱“芯合半導體”）發(fā)布自主研發(fā)生產(chǎn)的SiC SBD（碳化硅二極管）、SiC MOSFET（碳化硅三極管）兩個系列的多款碳化硅功率器件，為半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入“芯”動力。?

作為用來控制電流的重要半導體器件，SBD和MOSFET廣泛應用于電力電子領(lǐng)域。而被稱為第三代半導體關(guān)鍵材料的碳化硅（SiC），更是開啟了功率半導體的新時代。芯合半導體此次推出的碳化硅功率器件，采用了第三代半導體材料碳化硅和領(lǐng)先的芯片設計及制造工藝技術(shù)，具有更耐高溫、更耐高壓、高頻率、低功耗等優(yōu)勢，可以廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變、電力儲能、服務器電源、工業(yè)電源變頻、智能電網(wǎng)、軌道交通等各個領(lǐng)域。尤其在新能源汽車領(lǐng)域，碳化硅功率器件有助于實現(xiàn)新能源車電力電子驅(qū)動系統(tǒng)輕量化、高效化，在新能源車的主驅(qū)逆變器等關(guān)鍵電控部件中將發(fā)揮更重要的作用。?

“我們此次推出的1200V 17mΩ和13mΩ碳化硅MOSFET，可用于新能源電動車主驅(qū)逆變器，將電池釋放出來的直流電轉(zhuǎn)換成交流電，驅(qū)動馬達讓汽車跑得快跑得遠?！毙竞习雽w總經(jīng)理趙清介紹道。

?

芯合半導體研發(fā)的1200V/13毫歐碳化硅晶圓。企業(yè)/供圖

“發(fā)布會當天，來自全國各地的30余家下游用戶及合作伙伴親臨現(xiàn)場，共同展望產(chǎn)業(yè)發(fā)展，這既是對我們產(chǎn)品的認可，更是對我們團隊的信任?！壁w清表示，作為一家專注于碳化硅功率芯片的IDM企業(yè)，芯合半導體擁有一支技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗豐富的核心團隊，秉承“極致、和諧、堅持”的企業(yè)文化，深耕功率半導體，重點致力于開發(fā)碳化硅分立器件和功率模塊及應用，為實現(xiàn)高功率密度電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化提供完整的半導體解決方案，產(chǎn)品主要為SiC SBD 、SiC MOSFET和SiC模塊。

在北京經(jīng)開區(qū)一流營商環(huán)境和創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)生態(tài)的支撐下，芯合半導體已在北京經(jīng)開區(qū)布局了一條6英寸碳化硅器件生產(chǎn)線，年產(chǎn)能可達3萬片。

“自入駐北京亦莊以來，我們獲得了經(jīng)開區(qū)在政策、空間、人才、一對一服務等各方面的支持，期待在這片創(chuàng)新沃土上實現(xiàn)更高質(zhì)量的發(fā)展?！壁w清表示，展望未來，在技術(shù)路線圖上，芯合半導體將持續(xù)向著碳化硅更高能量密度器件方向發(fā)展，從平面型結(jié)構(gòu)到溝槽型結(jié)構(gòu)，趕超國際一流水平；從產(chǎn)品類型結(jié)構(gòu)上，將根據(jù)國家新能源發(fā)展戰(zhàn)略及市場需求，豐富完善產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，尤其是針對新能源汽車領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)品；在產(chǎn)能規(guī)劃上，芯合半導體將在未來三年建設更大規(guī)模的碳化硅器件生產(chǎn)制造基地，預計實現(xiàn)年產(chǎn)30萬片8英寸晶圓的產(chǎn)能規(guī)模。?

轉(zhuǎn)自：北京亦莊