2024年8月8日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過1項(xiàng)GaN HEMT測(cè)試方面的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)建議，詳細(xì)信息如下：

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秘書處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知，組建標(biāo)準(zhǔn)起草小組，請(qǐng)CASAS正式成員關(guān)注秘書處郵件（casas@casa-china.cn）。

T/CASAS 052—202X GaN HEMT非鉗位感性負(fù)載開關(guān)魯棒性測(cè)試方法采用UIS應(yīng)力與原位在線測(cè)量方法，將UIS測(cè)試電路和雙脈沖(DPT)測(cè)試電路合并到同一電路中，并利用兩個(gè)開關(guān)分別控制UIS支路和DPT支路。在UIS測(cè)試階段，UIS支路通過函數(shù)發(fā)生器控制被測(cè)器件的導(dǎo)通與關(guān)斷，當(dāng)被測(cè)器件導(dǎo)通時(shí)，通過改變柵極脈沖寬度來改變支路導(dǎo)通時(shí)的電感儲(chǔ)存能量，隨后器件關(guān)斷并發(fā)生UIS過程，電感中的能量在器件漏-源極間產(chǎn)生電壓應(yīng)力。該電壓應(yīng)力結(jié)束后，經(jīng)過一個(gè)可以調(diào)節(jié)的恢復(fù)時(shí)間,電路進(jìn)入DPT測(cè)試階段，完成UIS后動(dòng)器件態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試。此方法用于測(cè)試GN HEMT器件在UIS電壓應(yīng)力后動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和器件電流的變化，可以在施加應(yīng)力后的給定時(shí)間段內(nèi)測(cè)量器件的時(shí)變特性。這對(duì)于揭示GaN HEMT器件在UIS過程后特性變化背后的器件退化或失效機(jī)理，特別是陷阱對(duì)電子和空穴俘獲隨時(shí)間變化的規(guī)律具有重要意義。

（來源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟）