9月20日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）發(fā)布了公司首臺(tái)氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備。該設(shè)備不僅滿足氧化鎵晶體生長(zhǎng)的各項(xiàng)需求，還集成了多項(xiàng)自主創(chuàng)新技術(shù)，是鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)氧化鎵單晶材料技術(shù)閉環(huán)的新里程碑。

據(jù)介紹，鎵仁半導(dǎo)體此次推出的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備滿足氧化鎵生長(zhǎng)所需的高溫和高氧環(huán)境。設(shè)備采用非銥（Ir）坩堝材料，可在空氣氣氛下工作。研發(fā)團(tuán)隊(duì)自主設(shè)計(jì)了獨(dú)特的復(fù)合測(cè)溫技術(shù)和控溫算法，確保晶體生長(zhǎng)過程的穩(wěn)定性、均勻性和一致性。該設(shè)備實(shí)現(xiàn)了全自動(dòng)化晶體生長(zhǎng)流程，減少了人工干預(yù)，顯著提高了生產(chǎn)效率和晶體質(zhì)量。通過該設(shè)備制備的氧化鎵晶體為柱狀外形，通過工藝控制可獲得多種不同晶面的大尺寸單晶，且支持向更大尺寸單晶的升級(jí)，以適應(yīng)不斷發(fā)展的外延技術(shù)和器件需求。