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對于半導(dǎo)體行業(yè)而言，最壞的時刻似乎已經(jīng)過去。

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）牽頭7家高等院校、科研院所和龍頭企業(yè)共同組建的江蘇省碳化硅電力電子技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)合體成功入選

親愛的汽車人，感謝您關(guān)注EAC2024易貿(mào)汽車產(chǎn)業(yè)大會暨易貿(mào)汽車產(chǎn)業(yè)鏈展!

GaN微納米器件涉及納米線陣列LED、納米線柔性LED、納米線激光器、納米線集成光波導(dǎo)等，由于難以實現(xiàn)納米尺寸、空間密度、形貌、結(jié)構(gòu)等的有效控制，限制了納米材料和器件的發(fā)展和應(yīng)用。報告介紹一種新型GaN微納結(jié)構(gòu)的制備方法、光電特性及其紫外探測器件。

SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）在其最新的《世界晶圓廠預(yù)測》報告中表示，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)月產(chǎn)能將在2023年增長5.5％，達到2960萬片

江西南昌大力推動硅襯底發(fā)光二極管藍光技術(shù)開發(fā)應(yīng)用。

中科潞安作為深紫外一體化消毒殺菌解決方案供應(yīng)商，一直致力于研發(fā)深紫外核心技術(shù)并開發(fā)深紫外中高端產(chǎn)品。

理想晶延業(yè)界首創(chuàng)的光伏切片電池側(cè)壁鈍化 (Edge Passivation Deposition EPD）設(shè)備正式整裝出貨！

Luminus Devices宣布，湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨家銷售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場。

2011年，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)的幼苗經(jīng)歷十余年發(fā)展完成了晶圓尺寸從2英寸往4英寸迭代，國內(nèi)導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品和技術(shù)布局剛開始，產(chǎn)業(yè)基

中國電科第四十八研究所自主研發(fā)的40臺SiC外延爐成功Move in。

目前，江寧開發(fā)區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“第一梯隊”，由國博電子、國盛電子等“中電科系”龍頭企業(yè)“領(lǐng)銜”，去年這些龍頭企業(yè)相繼迎來重大發(fā)展節(jié)點。

1月3日，證監(jiān)會官網(wǎng)披露了深圳市龍圖光罩股份有限公司(以下簡稱龍圖光罩或公司)首次公開發(fā)行股票注冊的批復(fù)，公司IPO注冊獲同意

中國電科第四十八研究所自主研發(fā)的40臺SiC外延爐成功Move in。

據(jù)財聯(lián)社消息，工信部部長金壯龍1月9日表示，將積極培育新興產(chǎn)業(yè)和未來產(chǎn)業(yè)，包括人工智能、人形機器人、元宇宙、6G、量子信息、

香港中文大學(xué)（深圳）冀東介紹了GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性的最新研究進展，涉及GaN同質(zhì)外延中雪崩擊穿的表征、GaN同質(zhì)外延中碰撞電離系數(shù)測量，以及功率器件和雪崩光電二極管的應(yīng)用等。

中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地（二期）項目是2023年山西省重點工程項目，是山西爍科晶體有限公司瞄準“成為國內(nèi)卓越、世界一流的碳化硅材料供應(yīng)商”這一目標打造的一張關(guān)鍵“拼圖”。

近日，北京市人力資源和社會保障局發(fā)布《北京市集成電路專業(yè)職稱評價試行辦法》，新增設(shè)集成電路專業(yè)職稱，暢通集成電路專業(yè)技術(shù)

北京集成電路學(xué)院微納電子器件與集成技術(shù)全國重點實驗室發(fā)布招聘信息，招聘工藝工程師。具體招聘信息如下：（來源：北京高校人才

全球半導(dǎo)體每月晶圓(WPM)產(chǎn)能在2023年增長5.5%至2960萬片后，預(yù)計2024年將增長6.4%，首次突破每月3000萬片大關(guān)(以200mm當量計算)。