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11月18-21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。瑞典皇家科學(xué)院院士、瑞典皇家工程院院士、隆德大學(xué)教授Lars Samuelson將出席論壇，并將帶來“實現(xiàn)超小型全氮化物Micro-LED的納米級材料科學(xué)技術(shù)”的大會報告。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司申請一項名為一種氧化鎵單晶襯底拋光片的劃片保護(hù)層結(jié)構(gòu)及其劃片方法的專利，公

晶馳機(jī)電生產(chǎn)基地項目總投資2億元晶馳機(jī)電是浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院孵化企業(yè)

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇集芯先進(jìn)材料有限公司申請一項名為大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置的專利，公開號CN 118756340

10月20日，光模塊研發(fā)制造商武漢恩達(dá)通科技有限公司（簡稱恩達(dá)通）與東湖高新區(qū)簽訂合作協(xié)議，在東湖綜保區(qū)建設(shè)恩達(dá)通總部及全球

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院胡芹特任研究員課題組在鈣鈦礦軟X射線探測器研究中取得新進(jìn)展。

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最近發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并在泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實驗室進(jìn)行了詳盡的測試

據(jù)方正微電子官微消息，10月16日，深圳方正微電子有限公司副總裁/產(chǎn)品總經(jīng)理彭建華在發(fā)言中提到，方正微電子作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)

天眼查顯示，江蘇長電科技股份有限公司近日取得一項名為腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法的專利，授權(quán)公告號為CN112582350B，授權(quán)公告日

華芯半導(dǎo)體科技有限公司112Gbit/s PAM4 VCSEL芯片的研發(fā)項目獲批立項。

為期三天的2024世界智能網(wǎng)聯(lián)汽車大會17日在北京開幕。工業(yè)和信息化部負(fù)責(zé)人表示，我國智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展取得顯著成效。我國智

泰國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在向更先進(jìn)的工藝領(lǐng)域拓展，該國首座前端晶圓廠預(yù)計最早于 2027 年投入使用。

到2025年底，韓國政府將為韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供8.8萬億韓元（當(dāng)前約457.81億元人民幣）的資金支持。

據(jù)湖州莫干山高新區(qū)官微消息，10月15日，先進(jìn)半導(dǎo)體芯片封測基地及總部項目簽約儀式在莫干山高新區(qū)管委會舉行。據(jù)悉，先進(jìn)半導(dǎo)體

香港中文大學(xué)（深圳）第二屆神仙湖國際創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽報名正式啟動。

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到2025年底，韓國政府將為韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供8.8萬億韓元（當(dāng)前約457.81億元人民幣）的資金支持。

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10月17日，東湖高新區(qū)舉辦新聞發(fā)布會，正式發(fā)布《促進(jìn)未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展實施方案》。《方案》立足國家定位特殊、武漢科教特長、光谷產(chǎn)